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Neu von MSI

DDR2- und DDR3-Arbeitsspeicher im Vergleichstest

Autor: doelf - veröffentlicht am 25.09.2007 - Letztes Update: 18.01.2008
s.21/26

Super Talent W1600UX2G9
DDR3-1066 bietet keinerlei Leistungsgewinne im Vergleich zu DDR2-800 und selbst wenn DDR3-1333 Module eingesetzt werden, sind die Vorteile kaum nennenswert. Daher haben zahlreiche Speicherhersteller DDR3-Module auf den Markt gebracht, die noch höhere Taktraten verwenden und dennoch auf recht niedrige Latenzen zurückgreifen. Die JEDEC hat DDR3-Speicher für 1,50 Volt spezifiziert, doch die streng selektierten und extrem teuren DDR3 Module mit Taktraten von mehr als 800 MHz brauchen deutlich mehr Spannung. Bei dem 2x 1 GByte Speicher-Kit W1600UX2G9 von Super Talent müssen laut Hersteller beispielsweise 1,80 Volt angelegt werden.


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Die Platine dieser Speichermodule wurde einseitig mit acht Chips des Herstellers Micron bestückt, diese DDR3-Speicherchips besitzen im Vergleich zu den hier vorgstellten 1 GByte DDR2-Modulen somit eine höhere Datendichte. Um die aus der höheren Taktrate und der höheren Datendichte resultierenden Probleme in den Griff zu bekommen, wurde die Spannung eigentlich von 1,80 Volt (DDR2) auf 1,50 Volt (DDR3) reduziert. Da wir für den Betrieb des W1600UX2G9 Speicher-Kits allerdings wieder 1,80 Volt anlegen müssen, kommen wir schnell in einen kritischen Bereich, der sich nicht mit jedem Mainboard stabil realisieren lässt.


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Weder Intels P35 noch der neue X38 Chipsatz unterstützen DDR3-1600 offiziell. Um den gewünschten Speichertakt erreichen zu können, müssen der Chipsatz, der Frontsidebus und die CPU übertaktet werden. Super Talent verspricht einen maximalen Takt von 800 MHz - also DDR3-1600 - mit Latenzen von CL9-9-9-21. Zumindest steht dies so auf der Homepage des Herstellers, der Aufkleber auf unseren Speicherriegeln gibt jedoch Latenzen von CL9-9-9-24 an. Super Talent hat diese Module auf dem ASUS P5K3 Deluxe validiert, auf diesem Mainboard erweisen sich DDR3-1600 CL9-9-9-21 sowie DDR3-1600 CL9-9-9-24 als stabil, allerdings nur mit einer Command Rate von 2T. Versuchen wir diesen Speichertakt auf dem ASUS Blitz Extreme zu erreichen, so müssen wir bereits massive Spannungserhöhungen für die Northbridge und den Frontsidebus vornehmen.


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Im SPD wurden Timings für DDR3-1066 sowie DDR3-914 hinterlegt. Ein EPP-Profil für die Premium-Chipsätze des Herstellers NVIDIA findet sich jedoch nicht, da NVIDIA zur Zeit noch keinen Chipsatz für DDR3-Speicher im Programm führt.


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Unsere Übertaktungsversuche verliefen erfreulich gut. So konnten wir die Latenzen im DDR3-1600 Betrieb mit 1,80 Volt auf erstaunliche CL7-6-6-15 absenken. Mit den vom Hersteller für DDR3-1600 freigegebenen Latenzen von CL9-9-9-21 erreichten wir sogar DDR3-1832, dabei mussten wir allerdings die Spannung am Speicher auf 2,0 Volt, an der Northbridge auf 1,55 Volt und am Frontsidebus auf 1,50 Volt anheben.

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