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Zum Thema 6 Kerne

DDR3-1333CL9 von Exceleram, GeIL und Kingston im OC-Test

Autor: doelf - veröffentlicht am 01.06.2011
s.2/12

Technik: Von DDR über DDR2 zu DDR3
Bleibt noch die Frage nach den Unterschieden zwischen den einzelnen SDRAM-Generationen. Angehoben wurde nämlich nicht etwa die Taktung der Speicher-Arrays selbst, sondern lediglich der Takt des Businterfaces (I/O). Die erste DDR-Generation brachte uns die doppelte Datenrate, indem sowohl die auf- als auch die absteigenden Flanke des Taktsignals zur Übertragung eines Bits genutzt wird. Die Taktraten der Speicherzellen und des Interface liefen damals noch synchron - z.B. bei DDR-400 mit 200 MHz - und nur die doppelte Datenrate war für den "effektiven Takt" von 400 MHz (2-Bit Prefetch) verantwortlich.

Bei DDR2 gesellte sich zur doppelten Datenrate dann auch eine Verdopplung des I/O-Taktes, im Falle von DDR2-800 arbeiten die Speicher-Arrays also weiterhin mit 200 MHz, das Interface aber mit 400 MHz. Zusammen mit der doppelten Datenrate erreichen wir einen "effektiven Takt" von 800 MHz (4-Bit Prefetch). Diese Kluft wächst bei DDR3 auf das Vierfache an, denn auch bei DDR3-1600 takten die Speicherzellen nach wie vor mit 200 MHz, das Businterface hingegen mit 800 MHz. Der "effektive Takt" kann somit auf 1.600 MHz (8-Bit Prefetch) gesteigert werden.

Hier drei Beispiele, welche die Entwicklung der Speicherbandbreite in den letzten zehn Jahren verdeutlichen:

    DDR-400, ein Kanal: (200 MHz x 64 Bit x 2) / 8 = 3.200 MB/sDDR2-800, zwei Kanäle: (200 MHz x 128 Bit x 4) / 8 = 12.800 MB/sDDR3-1600, drei Kanäle: (200 MHz x 192 Bit x 8) / 8 = 38.400 MB/s

Bleibt noch die Betriebsspannung der unterschiedlichen Speichersorten. Die erste DDR-Generation benötigte noch 2,50 Volt, bei DDR2 sank die Spannung auf 1,80 Volt und mit der Einführung von DDR3 erfolgte eine weitere Reduzierung auf 1,50 Volt. Speichermodule, deren Taktrate sich außerhalb der Spezifikation bewegt, benötigen oftmals höhere Spannungen. Als die ersten DDR3-Module auf den Markt kamen, benötigten viele der OC-Modelle bis zu 2,00 Volt und lagen damit weit außerhalb der Spezifikation. Moderne Prozessoren, bei denen sich der Speicher-Controller in der CPU befindet, haben mit solch hohen Spannungen massive Probleme, welche bis hin zum Defekt des Prozessors reichen. Aus diesem Grund hat Intel eine Obergrenze bei 1,65 Volt gezogen und diese werden wir heute auch nicht überschreiten.

Die Testkonfiguration
Für diesen Test verwenden wir das Mainboard ASUS P6T Deluxe mit dem Sockel LGA1366 und Intels Chipsatz X58. Als Prozessor kommt Intels Core i7-965X zum Einsatz, dessen integrierter Speicher-Controller über drei Kanäle verfügt. Damit der Prozessor den Speicherdurchsatz nicht limitiert, haben wir dessen Taktrate auf 3.600 MHz angehoben. Im Betrieb mit DDR3-1333 und DDR3-1600 geschah dies durch eine Anhebung des Multiplikators auf 27:

Da uns bei der Übertaktung mit Hilfe des Multiplikators lediglich die Taktschritte 1333, 1600 und 1866 zur Auswahl stehen, haben wir für die Zwischenstufen mit einer Anhebung des Basistaktes gearbeitet. Für DDR3-1440 haben wir einen Basistakt von 144 MHz und den Multiplikator 25 verwendet:

DDR3-1709 erreichten wir entsprechend mit einem Basistakt von 171 MHz und einem Multiplikator von 21. Ziel aller Taktstufen war es, den Prozessor konstant auf ca. 3.600 MHz zu halten:

Hier die weiteren Komponenten unseres Testsystems:

Noch ein Wort zu den Benchmark-Messungen: Wir führen diesmal nur jene Messungen auf, die tatsächlich auf den veränderten Speichertakt reagiert haben. Software zur Audio- und Videobearbeitung sowie Spiele sind nicht dabei, da wir hier nur Abweichungen im Bereich der zu erwartenden Messtoleranzen feststellen konnten.

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